Circuito di bootstrap per driver MOSFET high-side


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Conosco molto bene il funzionamento dei driver bootstrap sui circuiti integrati dei driver MOSFET per la commutazione di un MOSFET high-side canale N. L'operazione di base è trattata in modo esauriente su questo sito e altri.

Quello che non capisco sono i circuiti dei driver high-side stessi. Poiché un buon driver spinge e tira grandi quantità di corrente, ha senso che all'interno dell'IC esista un'altra coppia di transistor per pilotare il pin VH alto o basso. Diversi fogli dati che ho visto sembrano indicare che usano una coppia P-channel / N-channel (o PNP / NPN). Togliendo il costrutto del chip IC, immagino che il circuito assomigli a questo:

schematico

simula questo circuito - Schema creato usando CircuitLab

Sembra che abbiamo appena introdotto un problema di ricorsione. Supponendo che il nodo contrassegnato come "mobile" possa essere qualsiasi tensione arbitrariamente alta, come sono guidati M3 e M4 che non hanno bisogno di un altro driver per guidare il driver ( e così via e così via )? Ciò presuppone anche che il driver high-side sia in definitiva controllato da un segnale a livello logico di qualche tipo.

In altre parole, data una tensione fluttuante arbitrariamente alta, come viene attivato l'azionamento push-pull di M3 e M4 da un segnale a livello logico che proviene da fuori dal chip?

Punto di chiarimento : la domanda specifica che sto ponendo ha a che fare solo con l'attivazione dell'unità bootstrap push-pull high-side con un segnale a livello logico. Quando la tensione high-side è relativamente bassa, riconosco che è banale. Ma non appena le tensioni superano i valori nominali tipici di Vds e Vgs sui transistor, questo diventa più difficile da fare. Mi aspetterei un qualche tipo di circuito di isolamento da coinvolgere. Esattamente come appare quel circuito è la mia domanda.

Riconosco che se M4 è un FET (o PNP) del canale P, non è necessario un altro circuito di bootstrap. Ma ho difficoltà a concepire un circuito che genererà i Vgs corretti sia per M4 che per M3 poiché i transistor esterni vengono commutati avanti e indietro.

Ecco le schermate da due diversi fogli dati che mostrano un circuito simile a quello che ho disegnato sopra. Né entrare nei dettagli sul circuito del driver "scatola nera".

Dal MIC4102YM :
inserisci qui la descrizione dell'immagine

E il FAN7380 :
inserisci qui la descrizione dell'immagine


Dan, dal momento che hai scritto che hai guardato diversi fogli dati, potresti pubblicare i link ad essi? Ciò fornirebbe un contesto piacevole.
Nick Alexeev

Certo, aggiornerò la domanda con alcuni esempi che ho trovato.
Dan Laks,

Dan, in precedenza in questa risposta ho descritto in dettaglio il funzionamento di un driver di gate bootstrap come FAN7380.
Nick Alexeev

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Nick, in realtà ho trovato quella risposta prima di pubblicare la mia domanda (anche se il fatto che ho usato la stessa immagine dal foglio dati FAN7380 è una coincidenza). Sono abbastanza a mio agio con l'utilizzo di un driver IC con un drive gate bootstrap. La domanda specifica che sto ponendo è come si presenta effettivamente il circuito di pilotaggio del gate. La casella contrassegnata come "driver" nell'immagine. Fondamentalmente, dettagli specifici sul passaggio 4 della tua risposta a quella domanda precedente.
Dan Laks,

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Bene, la coppia push-pull è ciò che ho immaginato nella mia domanda. Mi manca ancora qualcosa però. Come si attiva l'azionamento push-pull per tensioni fluttuanti arbitrariamente elevate? Questo è il nocciolo della mia domanda, suppongo.
Dan Laks,

Risposte:


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schematico

simula questo circuito - Schema creato usando CircuitLab

VccVAlta tensioneVBS

VCinturino di avvio

Nello schema seguente, VCC è la sorgente di tensione del resto del circuito. Quando il MOSFET è spento, la terra del circuito della cinghia di avvio è collegata alla terra del circuito, quindi C1 e C2 si caricano fino al livello di Vcc. Quando arriva il segnale di ingresso per accendere il MOSFET, la massa del circuito di pilotaggio del gate aumenta fino alla tensione di drain del MOSFET. Il diodo D1 bloccherà questa alta tensione, quindi C1 e C2 forniranno il circuito di pilotaggio durante il tempo di accensione. Una volta spento il MOSFET, C1 e C2 ricaricano le loro cariche perse da VCC.

Criteri di design:

  • RB deve essere scelto il più basso possibile che non danneggi D1.
  • La capacità di C2 deve essere scelta a sufficienza per alimentare il circuito di pilotaggio nel tempo più lungo possibile.
  • VAlta tensione-VCC

Il segnale di ingresso deve essere isolato dal circuito della cinghia di avvio. Alcuni possibili isolatori sono:

accoppiatore ottico

inserisci qui la descrizione dell'immagine

μμ

Trasformatore di impulsi

inserisci qui la descrizione dell'immagine

Il trasformatore di impulsi è un tipo spaziale di trasformatore per il trasferimento di impulsi rettangolari. Hanno un minor numero di spire al fine di evitare la capacità parassita e l'induttanza e nuclei più grandi per compensare la perdita di induttanza dovuta al ridotto numero di spire. Sono molto più veloci degli accoppiatori ottici. I tempi di ritardo sono generalmente inferiori a 100 ns. L'immagine sopra è solo a scopo illustrativo. In pratica, la corrente che possono fornire non è sufficiente per guidare velocemente un MOSFET; quindi in pratica hanno bisogno di circuiti aggiuntivi.

Driver di gate isolato

inserisci qui la descrizione dell'immagine

La guida isolata del cancello è una tecnologia relativamente nuova. Tutta la complessità della guida del gate è incapsulata in un singolo chip. Sono veloci come i trasformatori di impulsi, ma possono fornire alcuni ampere di corrente di picco. Alcuni prodotti contengono anche convertitori DC-DC isolati su chip, quindi non hanno nemmeno bisogno di reimpostare l'avvio. Tuttavia, tutte queste super funzionalità hanno un costo.


hkBattousai, grazie per aver dedicato del tempo a scrivere una risposta. Se espandi gli ultimi tre punti elenco (che rispondono alla domanda che ho posto) e rimuovi i dettagli sulle basi dei driver bootstrap (che menziono nel primo paragrafo della mia domanda con cui ho già familiarità), avrai ho il mio +1. Il circuito dell'opto-isolatore è eccezionale e speravo di ottenere risposte che si concentrassero interamente su quella parte del driver anziché sulle basi generali di come funzionano i bootstrap.
Dan Laks,

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Penso che non dovremmo rimuovere i dettagli del boot-strapping. Altri utenti possono trarne beneficio.
hkBattousai,

Sto bene, fintanto che la risposta ora è focalizzata principalmente sulla domanda specifica (come è ora). Grazie e +1.
Dan Laks,

Ciao, vedo che l'ultima immagine che hai fornito è molto simile allo schema del gate driver ADuM3220. La mia domanda è se questo richiede il bootstrap per alimentare il MOSFET high-side? In caso contrario, hai un esempio di un prodotto con un convertitore cc / cc isolato su chip? Grazie
Rrz0

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@ Rrz0 In questa tabella , per un prodotto elencato in una riga, se la stringa nella colonna "Isopower Enabled" è "Sì", allora ha un alimentatore CC-CC interno.
hkBattousai,

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Ehm, l'IC ha un circuito interno di "spostamento di livello".

inserisci qui la descrizione dell'immagine

E il circuito di spostamento di livello forse è così, questo è simile con FAN7380:

inserisci qui la descrizione dell'immagine

VSRCVBST

E sotto è lo schema a blocchi di IR2110 (From International Rectifier AN978-b):

inserisci qui la descrizione dell'immagine


Sì, i chip hanno un cambio di livello di qualche tipo. Come implementa il cambio di livello per una tensione arbitrariamente alta è la domanda specifica che sto ponendo.
Dan Laks,

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Ho modificato la mia domanda per aggiungere un paragrafo in più per chiarire.
Dan Laks,
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