In che modo il diodo protettivo protegge il transistor dalla rottura?

Per favore, spiega il processo di guasto; come esattamente questo diodo protettivo protegge il transistor?

In un libro Horowitz & Hill, "The Art of Electronics", 2 ° edizione, in "Capitolo 2 - Transistors" (pagina 68), ho letto il seguente:

2. Ricorda sempre che la tensione di rottura inversa dell'emettitore di base per i transistor al silicio è piccola, abbastanza spesso fino a 6 volt. Oscillazioni di ingresso sufficientemente grandi da escludere la conduzione del transistor possono facilmente provocare guasti (con conseguente degradazione dell'hFE a meno che non venga aggiunto un diodo protettivo (Fig. 2.10).

Non riesco a capire come questo diodo protegge il transistor dalla rottura se la corrente va solo in una direzione in questo diodo.

^{simula questo circuito - Schema creato usando CircuitLab}

Il diodo è in posizione per proteggere il transistor dalla rottura inversa . Se si inverte la giunzione dell'emettitore di base portando l'emettitore del transistor a ~ più positivo della base, si guasterà e inizierà a condurre.$V_{BE}$$6\rm{V}$

Questo guasto inverso danneggia la giunzione dell'emettitore di base, causando un degrado in .$h_{FE}$

Posizionando un diodo come mostrato, la tensione di polarizzazione inversa è limitata a ~ ; i tentativi di applicare più tensione saranno inutili, poiché il diodo condurrà molta corrente e impedirà un aumento della tensione. Questo protegge la giunzione dell'emettitore di base del transistor.$0.7\rm{V}$