Sto cercando di capire come funziona la memoria NAND-Flash e penso di capire come funziona la programmazione di una pagina ma non vedo perché invertire tutta la tensione non porterebbe a cancellare la pagina. Quindi, perché è necessario cancellare l'intero blocco (anziché una cancellazione della pagina a grana più fine)?
Risposte:
Quello che dici è più simile alla vecchia EEPROM e NOR Flash, in cui il processo di cancellazione consiste sostanzialmente nell'iniezione della stessa quantità di carica opposta. Il problema è che la cancellazione deve essere davvero accurata, altrimenti il rischio è di non scaricare completamente il gate o caricarlo con un valore opposto.
Le memorie Flash NAND utilizzano il principio di rilascio del tunnel, che (se ricordo bene) consiste essenzialmente nel far fluire la carica dal gate flottante verso una delle regioni attive, evitando il rischio di iniettare altre cariche.
Probabilmente non è così chiaro, ma il motivo per cui non si scarica con una tensione opposta è perché con NAND Flash scarichi il Floating Gate come faresti con un condensatore, lasciando semplicemente scorrere la carica; mentre le altre tecnologie richiedono l'iniezione di una carica opposta.
(Prendi questa risposta con cautela, non è del tutto accurata, ma in base a ciò che ricordo dal corso ... quando avrò di nuovo il materiale ti darò una risposta più accurata)