Un tiristore può essere costruito da due transistor?

Presumibilmente, un tiristore / SCR è solo un semiconduttore PNPN a quattro strati semplice.

Se è il caso..

Quando un circuito richiede un SCR / tiristore e non ce n'è uno disponibile, può essere sostituito da (cioè realizzato da) due BJT (o altri componenti discreti, per quella materia)?

Ecco un paio di esempi che avevo in mente; anodo = blu, cancello = verde, catodo = arancione:

Esistono due tipi semplici di tiristori costituiti da due BJT. Uno è l'SCR e l'altro è un PUJT. (Il PUJT utilizzerà la base di anziché la base di Q 1 come gate - vedere i circuiti di seguito.) Ma i problemi principali che ho riscontrato nel fare uno di questi lavori con parti discrete è che è necessario seleziona BJT per farlo funzionare. Altrimenti, non ne deriva nulla di buono ed è molto, molto frustrante. Quindi lo schema del lato sinistro mostrato di seguito è per lo più poco pratico . Quindi non preoccuparti nemmeno.$Q_2$$Q_1$

^{simula questo circuito - Schema creato usando CircuitLab}

$R_1$$Q_1$ $R_2$$Q_2$ $R_1$$R_1$$Q_1$$Q_2$$R_2$$Q_2$ $Q_2$$Q_1$

$Q_2$$\beta=1$$Q_2$$Q_1$$V_{CE}$oltre a una giunzione a diodi emettitori di base comandati a corrente molto elevata la cui caduta di tensione dipende quasi interamente dalla quantità di corrente che si desidera guidare attraverso il dispositivo. E poiché questo può essere piuttosto elevato, puoi facilmente concludere con cadute di tensione superiori a un volt e forse anche a 1,5 volt.

Una risposta a ciò è quella di trovare un modo per ridurre le correnti di base necessarie in modo che la caduta di tensione attraverso le giunzioni BE possa essere ridotta in modo simile.

$Q_1$

Questo diodo è essenzialmente solo un BJT collegato a diodo - con una differenza importante. La corrente di saturazione per i diodi tipici è molto più elevata di quanto non lo sia per i BJT di piccoli segnali. (E possono anche trasportare una discreta corrente.) Ciò significa che conducono un po ' più di corrente attraverso di loro per la stessa tensione che li attraversa. In effetti, questo crea un mirror corrente con un guadagno attuale molto inferioredi 1. Quanto meno, esattamente, non importa davvero perché QUALSIASI miglioramento qui aiuta a ridurre la caduta di tensione nell'intero circuito. Quindi è tutto per il bene. Diodi diversi con alcune correnti di saturazione diverse producono risultati diversi. Ma praticamente qualsiasi diodo su cui si può mettere in mano avrà correnti di saturazione più elevate rispetto alla maggior parte dei BJT che si potrebbero applicare. Quindi "funziona", di solito.

$Q_1$$Q_2$$Q_2$$Q_1$$Q_2$

$Q_2$$Q_1$$Q_1$$V_{BE}$$R_1$

$\beta$

$\beta$$Q_1$$\beta$$Q_1$

$50\:\textrm{mA}$

La linea rossa mostra la dissipazione di potenza di un circuito simile alla versione solo resistore (circuito centrale sopra) e la linea verde mostra la dissipazione di potenza della versione diodo (circuito destro sopra.) (In caso contrario sono quasi identici.) attenzione, queste sono parti schematiche simulate. Quindi i risultati effettivi saranno diversi. Ma l'idea di base rimane. Puoi vedere che la linea verde è più bassa (meno potenza) della linea rossa e in questo caso è circa 1/3 più bassa nella dissipazione di potenza.

$200\:\Omega$$10\:\textrm{V}$

Quindi c'è una caduta di tensione del circuito più bassa nel circuito basato su diodo (che è migliore) e anche una dissipazione di potenza inferiore (che è anche migliore.)

Sì, è facile In genere si desidera aggiungere resistori di emettitore di base a uno o entrambi i transistor per controllare il trigger e la corrente di mantenimento.

Ecco un SCR simulato che si innesca a una corrente di gate di circa 400uA.

^{simula questo circuito - Schema creato usando CircuitLab}

Questa costruzione offre due "porte": quella superiore può essere utilizzata per creare il complemento di un normale SCR come 2N506x, che, se addirittura esiste, non è comune.

Si noti tuttavia che non è possibile creare un triac (anche un tiristore) in questo modo.

Si noti inoltre che tutta la corrente scorre attraverso le giunzioni BE, quindi osservare i valori nominali ed entrambi i transistor devono essere classificati per la tensione di blocco desiderata.